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未来十年的路线图曝光到2029年英特尔将达到1.4纳米制程

英特尔严重短缺14纳米,延迟10纳米制程节点给公司带来了巨大压力,但英特尔似乎正试图摆脱困境。英特尔首席执行官鲍勃·斯旺(Bob Swan)在较早的公开活动中表示,该公司计划恢复过去的工艺技术。随着每2到2.5年引入新技术以促进下一代工艺的发展,我们希望在未来恢复其晶圆工艺的领导地位。在本周举行的IEEE国国际电子设备会议上,合作伙伴ASML透露了英特尔未来10年的工艺电路图。除了已知的10nm工艺外,英特尔还将在2021年之前推出7nm工艺。此后,它将是5nm,3nm和2nm工艺。到2029年,将按计划推出1.4nm。

在IEEE大会上,在ASML首席执行官Martin van den Brink的主题演讲中,他概述了他们对过程技术的未来的愿景。 Martin van den Brink强调了一些关键技术,包括ASML自己的EUV和高NA EUV机器。同时,马丁·范登·布林克(Martin van den Brink)进行的有趣的幻灯片放映是关于英特尔进程的未来方向的,并指出英特尔本身在9月的光刻会议上进行了演示。

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当10nm制程技术在生产过程中遇到重大产量问题时,英特尔自己的制程技术路线图严重偏离了轨道。英特尔现在才开始加速10nm并进入2020年,与台积电相比,它遇到了麻烦。马丁·范登·布林克(Martin van den Brink)在主题演讲中确认,英特尔于今年早些时候重新推出了迭代,也就是说,他们将尝试恢复2到2.5年的节奏。

在电路图上,几乎每个链路都覆盖7nm,5nm和3nm工艺。英特尔预计其制造工艺节点技术将以两年的迭代速率发展,从2019年的10nm到2021年的7nm EUV,然后到2023年的5nm,2025年的3nm,2027年的2nm和2029年的1.4nm。

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1.4纳米工艺首次出现在英特尔的幻灯片上,因此可以确定英特尔的发展方向。如果1.4nm表示实际大小,则相当于12个硅原子。

值得一提的是,今年IEDM的一些演讲使用了所谓的“ 2D自组装”材料。它们的尺寸约为0.3nm。这么小的尺寸并不是什么新鲜事物,但是对于硅来说却是非常新的事物。

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正如英特尔之前所说,在每个处理节点之间,将有迭代的+和++版本,以提高每个处理节点的性能。唯一的例外是10nm,它已经在10+上了,因此我们将在2020年和2021年分别看到10 ++和10 +++。英特尔认为,他们可以保持年度更新率,但也可以拥有同一团队,以确保一个流程的流程节点可以与另一个流程节点平稳地演进。

这张幻灯片中有趣的元素是提到了反向移植。这是设计芯片时需要考虑的节点容量,并且由于新节点可能会延迟,因此有可能在同一时间范围内处理旧版“ ++”版本的节点。尽管英特尔表示他们正在将芯片设计与工艺节点技术分开,但在某些时候,必须做出承诺,采用工艺节点才能开始在硅片上进行布局。那时,进程节点进程被锁定,尤其是在掩码创建期间。

幻灯片显示,英特尔将允许将任何一代的7nm设计反向移植到10 +++,将任何一代的5nm设计反向移植到7 ++,然后从3nm移植到5 ++,从2nm移植到3 ++等。有些人可能会质疑此路线图可能对日期没有严格的要求。我们已经看到Intel的10nm工艺需要很长时间,因此我们希望Intel将以每年的更新进度和第二代节点演进的节奏发展。 Node似乎是一个非常乐观和积极的策略。

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请注意,这不是第一次发表有关英特尔反向端口硬件设计的声明。由于英特尔10纳米制程技术的当前延迟,已广为流传,英特尔未来的某些CPU微体系结构设计最初是针对10纳米(或10 +,10 ++)设计的,但最终可能会采用更成熟的14纳米制程。

通常,随着流程节点的发展,每个流程节点将拥有不同的团队。幻灯片指出,英特尔目前正在开发其10 +++优化和7nm系列产品。这个想法是,从设计的角度来看,每一代都可以改进“ +”更新,并且数字代表整个节点的性能。有趣的是,我们看到Intel的7nm是基于10 ++的。将来,英特尔的5nm将基于7nm设计,而3nm将来自5nm。毫无疑问,对每个++的某些更新将在需要时应用于将来的设计。

在此幻灯片中,英特尔目前处于定义5nm的阶段。在本届IEDM会议上,关于5nm的讨论很多,因此其中某些改进(例如制造,材料,一致性等)最终将以Intel的5nm工艺来结束,具体取决于与他们合作的设计公司(从历史上看)。应用材料公司(ASML)。

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▲目前,英特尔的流程开发与台积电的流程开发

值得注意的是,在2023年5nm被列为节点,大约在ASML开始销售其“高NA” EUV机器的时候,以帮助更好地定义制造过程中的路径。尚不确定高NA是否会在5nm或3nm处被拦截。假设该路线图的日期是正确的并且英特尔可以坚持下去,这是需要考虑的事情。

英特尔目前处于“寻路”模式,超过5纳米,即3纳米/2纳米/1.4纳米。与往常一样,英特尔一直在考虑新材料,新晶体管设计等等。在IEDM会议上,我们还可以看到很多有关全栅晶体管的讨论。无论是纳米纳米片还是纳米納米線,因为FinFET的使用极为广泛,毫无疑问会看到其中一些新技术和新产品。

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台积电仍在其5nm工艺中使用FinFET(相当于Intel的7nm),因此,如果我们看到类似nm纳米片的材料,那么进入nm纳米线(甚至是混合设计)的情况下,我不会对英特尔的制造堆栈感到惊讶。

简而言之,外界仍然很高兴看到英特尔仍致力于在可预见的未来以雄心勃勃的路线图推进摩爾法,但英特尔能否遵循该路线图还有待观察。

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