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台积电5nm测试晶片良率已达80%明年上半年量产

在IEEE IEDM会议上,台积电正式披露了5nm工艺的最新进展,并给出了许多结论性数据。看起来非常令人鼓舞。

5nm将是台积电的另一个重要工艺节点。它分为N5和N5P版本。与N7 7nm相比,前者的处理性能提高了15%,功耗降低了30%。后者基于前者继续将性能提高7%,并将功耗降低15%。


台积电5nm将采用第五代FinFET晶体管技术,EUV极紫外光刻技术也将扩展到10 光刻层以上,整体晶体管密度——7nm的84%增加为96.27每平方毫米百万个晶体管对于5个晶体管,每平方毫米将使用1.771亿个晶体管。

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